当前位置： > 华宇登录 > 正文
正文
针对之前中国记忆体厂合肥长鑫宣布，估计将在2019 年底前消费 DDR4 DRAM 记忆体，并采第一代1x 纳米 (19 纳米) 制程消费，初期希望能到达每月2 万片产能的音讯，如今有媒体报道，合肥长鑫不但估计在2020 年中将月产能提升至4 万片，华宇注册设计人员可以利用Maxim Integrated Products，Inc. 的MAX17853电池监控器IC，只需使用一块芯片就可以实现更安全，更具成本效益的电池管理系统，从而满足华宇登陆汽车应用的ASIL-D要求 。还估计直接跳过18 纳米，直接往17 纳米制程开展的音讯。市场人士对此表示，合肥长鑫17 纳米制程估计要到2021 年才有时机导入之外，目前19 纳米制程至2019 年底前每月产能也仅有5，000 片上下，要扩产仍必需视良率的停顿而定。
合肥长鑫2016 年成立于安徽合肥，目前一期工程投资就高达72 亿美圆 （约494 亿钱），将建立一座月产能12.5 万片芯片的记忆体工厂。现阶段工厂建立曾经进入了序幕，正在停止设备装置、调试阶段。而一旦进度顺利，则有望在年底前顺利量产中国的第一批 DRAM 记忆体。
而依据合肥长鑫之前公开的材料，华宇总代理认为如此复杂的电源问题需要采用整体设计方法才能成功获得高性能的结果。华宇主管需要在架构，拓扑和封装方面进行创新，以解决最严峻的电源挑战。该公司在2018 年就曾经与万亿易创新签署了协作协议，共同开发1x 纳米制程的 DRAM 记忆体，并且于2018 年底正式展出了8Gb DDR4 记忆体样品。2019 年第3 季则再推出8Gb LPDDR4 记忆体样品，并估计年底正式量产，月产能将到达2 万片芯片，后续则将不时提升到每月12.5 万片的目的产能。
日前，媒体报道指出，由于第三代技术的研发进度顺利，合肥长鑫估计将跳过18 纳米直接跳级锁定17 纳米开发。另外，报道还表示，虽然一期的规划产能可到达12 万片以上，但合肥长鑫并未打算在短期内快速扩大投产范围。缘由是合肥长鑫在量产19 纳米制程之际，也同步停止17 纳米制程研发，估计以17 纳米制程投入下一阶段扩产月产能4 万片的主要技术。
对此，熟习市场的人士指出，合肥长鑫目前购入的机台设备月产能约2 万片，但是到2019 年底前的投片量仅有个位数约5，000 片上下，估计2020 年第1 季才有时机到达1 万片的范围。而合肥长鑫对外声称，2020 年底月产能会到6 到7 万片的水准，其最重要的还是要取决良率的提升速度而定。至于，在制程的开展上，知情人士进一步指出，合肥长鑫历来就没有规划18 纳米制程，原来就是规划19 纳米及后续17 纳米制程的开展。目前仍会以19 纳米的消费优化为主，17 纳米制程局部最快要到2021 年之际才会导入。
另外，在合肥长鑫在量产的产品局部，华宇主管所追求的测量量是通常表现出干扰的两个量之比。一般可能还需要华宇注册系统校准，以进一步减少测量误差并提高系统精度。目前会是以 DDR48Gb 为主，而 LPDDR48Gb 的量产则是估计时间点会落在2020 年上半年。整体来说，即使相关产品的量产与制程的开展，对中国半导体产业有着方式上特别意义。不过，关于全球 DRAM 市场在2020 年的影响仍旧有限。但是，到了2021 年就必需要进一步关注。
版权保护: 本文由 原创，转载请保留链接: http://www.allart.com.cn//html/2019/1114/508.html
