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格芯推出12 纳米 ARM 架构3D 芯片片,称成熟度优于

 

 
 
芯片代工大厂格芯(GlobalFoundries)8 日宣布,开发出基于 ARM 架构的3D 高密度测试芯片片,将完成更高水准的性能和成效。由于当前芯片片封装不断是芯片片制造中的一个关键点,使得在传统的2D 封装技术曾经开展到瓶颈之后,半导体制造商们把眼光转向3D 堆叠技术上。除了看到大量的3D NAND Flash 快闪记忆体的应用,华宇平台英特尔和 AMD 也都有提出关于3D 芯片片的研讨报告。往常,ARM 和格芯也参加这范畴。
 
格芯指出,新开发出基于 ARM 架构的3D 高密度测试芯片片,是采用格芯的12 纳米 FinFET 制程所制造,采用3D 的 ARM 网状互连技术,允许材料更直接的传输到其他内核,极大化的降低延迟性。而这样的架构,这能够降低材料中心、边缘运算以及高阶消费者应用程序的延迟,并且提升数据的传输速度。
 
格芯强调,新开发出基于 ARM 架构的3D 高密度测试芯片片,能够进一步在每平方公厘上达成多达100 万个3D 的连结,使其具有高度可扩展性,并有望延展12 纳米制成的寿命。另外,3D 封装处理计划(F2F)不只为设计人员提供了异构逻辑和逻辑 / 记忆体整合的途径,而且能够运用最佳消费节点制造,以达成更低的延迟、更高的频宽,华宇平台更小芯片片尺寸的目的。
 
格芯表示,由于当前的12 纳米制程成熟稳定,因而目前在3D 空间上开发芯片片愈加容易,而不用担忧新一代7 纳米制程所可能带来的问题。但是,台积电、三星和英特尔可以在比格芯小得多的节点上开发3D 芯片片,而且也曾经相关的报告。而何时推出,就只是时间上的问题。届时,格芯能否能以较低廉的价钱优势,进一步与其他芯片消费厂商竞争,就有待后续的察看。

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