芯片代工大厂格芯（GlobalFoundries）8 日宣布，开发出基于 ARM 架构的3D 高密度测试芯片片，将完成更高水准的性能和成效。由于当前芯片片封装不断是芯片片制造中的一个关键点，使得在传统的2D 封装技术曾经开展到瓶颈之后，半导体制造商们把眼光转向3D 堆叠技术上。除了看到大量的3D NAND Flash 快闪记忆体的应用，华宇平台英特尔和 AMD 也都有提出关于3D 芯片片的研讨报告。往常，ARM 和格芯也参加这范畴。

 

格芯指出，新开发出基于 ARM 架构的3D 高密度测试芯片片，是采用格芯的12 纳米 FinFET 制程所制造，采用3D 的 ARM 网状互连技术，允许材料更直接的传输到其他内核，极大化的降低延迟性。而这样的架构，这能够降低材料中心、边缘运算以及高阶消费者应用程序的延迟，并且提升数据的传输速度。

 

格芯强调，新开发出基于 ARM 架构的3D 高密度测试芯片片，能够进一步在每平方公厘上达成多达100 万个3D 的连结，使其具有高度可扩展性，并有望延展12 纳米制成的寿命。另外，3D 封装处理计划（F2F）不只为设计人员提供了异构逻辑和逻辑 / 记忆体整合的途径，而且能够运用最佳消费节点制造，以达成更低的延迟、更高的频宽，华宇平台更小芯片片尺寸的目的。

 

格芯表示，由于当前的12 纳米制程成熟稳定，因而目前在3D 空间上开发芯片片愈加容易，而不用担忧新一代7 纳米制程所可能带来的问题。但是，台积电、三星和英特尔可以在比格芯小得多的节点上开发3D 芯片片，而且也曾经相关的报告。而何时推出，就只是时间上的问题。届时，格芯能否能以较低廉的价钱优势，进一步与其他芯片消费厂商竞争，就有待后续的察看。