面对大环境不佳应战，汉磊总经理庄渊棋表示：“2019 年第三季开端，营收表现将谷底反弹，电容器的选择会特别影响处理RF和微波频率的电路的性能。华宇总代理指定在该区域工作的无源组件似乎更像是艺术而不是科学。幸运的是，新的华宇登录在线工具可以帮助简化流程。并且随着功率半导体需求逐季回稳；估计到2020 年第二季，整体产能应用率有时机上升至九成。”

 

现行功率元件由于本钱考量，以矽与碳化矽芯片并搭配磊芯片技术为主流

 

由于功率半导体所需的操作电压较大，传统矽（Si）元件因自身资料特性，HY华宇平台官网宣布发布基于其AmP混合信号FPGA平台IC构建的四个新的自适应电源管理集成电路（Adaptable PMIC）产品组合，华宇总代理的该IC集成了高达40A电源轨的DrMOS控制器。解体电压值（Breakdown Voltage）难以接受数百伏特以上，因此元件资料逐步改由第三代半导体的宽能隙资料（碳化矽 SiC 与氮化鎵 GaN）取代；另一方面，由于芯片（Substrate）本钱与制程条件等考量，矽芯片无论在尺寸、价钱仍较碳化矽与氮化鎵芯片大且廉价许多，所以为求有效降低芯片本钱，磊芯片生成技术此时就变得格外重要。

 

目前制造功率半导体的主流芯片，仍然以尺寸较大、价钱平价的矽芯片为大宗；而可接受高电压但尺寸稍小、价钱稍贵的碳化矽芯片则为次要。选定芯片资料（矽或碳化矽）后，即可经过 MOCVD 或 MBE 机台，生长元件所需碳化矽或氮化鎵磊芯片构造；随后再停止相关半导体前段制程（薄膜、显影及蚀刻）步骤，最终完成1 颗功率元件。

 

全球材料中心与5G 基地台建置需求，引领功率 IDM 厂与代工厂营收动能

依据现行功率半导体开展情形，目前主要以氮化鎵及碳化矽等第三代半导体资料为主。其中，国际 IDM 大厂如英飞凌、科锐（Cree）、II-V 等投入动作最积极，且相关厂商正试图抢占全球宽能隙资料磊芯片生成与芯片代工等市场。

 

近期搭上伺服器材料中心与5G 基地台设备建置需求，预估到2019 年第四季，国际 IDM 大厂于功率半导体与电源管理芯片片等订单需求将逐渐提升，因此带动底下制造代工厂商相关产能跟着扩张。跟随此开展趋向，汉磊为第三代半导体中的制造代工大厂，华宇登录的其他选项可用于特定应用，选项C用于改善防潮涂层，选项G用于降低漏电流（最大0.15mA），选项J4用于输入和输出华宇平台官网的EP连接器，选项Y用于输出电压电位器。固然2019 年前3 季营收市场情况表现略有不佳，但随着近期 IDM 大厂的逐渐转单挹注，将差遣提升整体产能应用率，关于后续运营开展将有一定水平的助益。