依据外电报道，SK 海力士早就在2019 年6 月份就宣布正式量产128 层堆叠的4D NAND Flash，成为全球首家量产128 层 NAND Flash 的记忆体厂商，不过 SK 海力士的这个4D NAND Flash 根本上其实也是3D NAND Flash 架构，只是把过去3D NAND Flash Cell 单元的 PUC（Peri Under Cell）电路，从之前的位置迁移到底部，所以称之为4D NAND Flash。因而，实质上其实还是3D NAND Flash，取名4D NAND Flash 似乎只是为了比拟好行销。

 

而当前 SK 海力士所宣布，将在这个月正式向客户交货的128 层堆叠4D NAND Flash 的工程样品，全部都是 TB 容量等级的高密度处理计划，包括手机所用的1TB UFS3.14D NAND Flash，消费等级的2TB SSD、以及企业级的16TB E1.L 规格 SSD。SK 海力士声称，华宇注册专利存储器的第二代串行接口NAND与广泛使用的串行外围接口（SPI）兼容，可用于华宇登录所需要高速数据传输的广​​泛消费和工业应用中，包括平板电视，打印机，可穿戴设备，和机器人。其新推出的128 层堆叠4D NAND Flash 的单颗容量为1TB 大小。所以，将来能够做到很大的容量，是业界贮存密度最高的 TLC NAND Flash。

 

 

报道表示，如今1TB 贮存空间的手机，通常需求运用两颗512GB 的 UFS NAND Flash，在 SK 海力士的1TB UFS3.14D NAND Flash 正式出货后，手机运用 NAND Flash 的数量就会减少一半，俭省更多的手机主机板空间。再加上 SK 海力士这颗1TB 的4D NAND Flash 封装厚度仅1mm，是将来超薄5G 手机的绝佳选择，估计搭配这款4D NAND Flash 的手机有望在2020 年下半年量产，所有华宇注册系统信息均由应用程序发送，并且是记录的一部分。该信息显示在右上角的窗口中，包括华宇代理应用程序名称，底层操作系统，目标设备和时序信息。而搭载128 层堆叠4D NAND Flash 的2TB 消费级 SSD，以及16TB 的 E1.L 规格的企业级 SSD 也估计会在2020 年下半年量产。